Малая толщина базы в транзисторе обусловлена необходимостью обеспечить эффективное управление током. Узкая база позволяет электронам (или дыркам) легче проходить через нее, что увеличивает скорость перехода носителей заряда и улучшает характеристики транзистора, такие как коэффициент усиления и частотные параметры. Кроме того, меньшая толщина снижает вероятность рекомбинации носителей в базе, что также способствует повышению эффективности работы устройства.