Добавление примеси бора в кристалл кремния приведет к образованию p-типа проводимости.
Дело в том, что атомы бора имеют на один электрон меньше, чем атом кремния, поэтому они могут легко замещать атомы кремния в кристаллической решетке. При этом образуется дополнительная дырка в валентной зоне, которая может быть заполнена электронами соседних атомов кремния. Таким образом, образуется большое количество дырок в валентной зоне, что делает материал p-типом проводимости.
Дырки в p-типе проводимости служат носителями положительного заряда, а свободные электроны, которые могут перемещаться по кристаллу, являются носителями отрицательного заряда. При приложении электрического поля электроны будут двигаться в сторону положительного электрода, а дырки в сторону отрицательного электрода, что приведет к появлению электрического тока в материале.
P-тип проводимости используется в различных электронных компонентах, таких как транзисторы, диоды и другие полупроводниковые устройства.